کاهش اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور های soi-mosfet دو گیتی با ولتاژ گیت وابسته به درین

thesis
abstract

در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. در این ساختار به منظور دست یابی به نتایج بهتر از تکنیک مهندسی طول گیت استفاده شده است. به منظور بررسی خصوصیات ترانزیستور، یک مدل تحلیلی دو بعدی برای تغییرات پتانسیل سطحی در طول کانال توسعه داده شده است. با رسم پتانسیل سطحی بر حسب موقعیت در کانال و رسم میدان الکتریکی بر حسب موقعیت در کانال و محاسبه ولتاژ آستانه، اثرات کانال کوتاه مانند اثر حامل داغ، کاهش سد در اثر درین(dibl) بررسی می شود. مقایسه بین ساختار ما و ساختار ماسفت سیلیکون بر عایق تک گیتی نشان می دهد که، اثرات کانال کوتاه مثل، اثر حامل داغ، کاهش سد در اثر ولتاژ درین(dibl) و.... به طور قابل ملاحظه ای در ساختار پیشنهادی ما کاهش پیدا می کند.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

ارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم روی عایق دو گیتی با پنجره اکسید در درین گسترده شده به‌منظور کاربرد در تکنولوژی نانو

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

full text

تحلیل و شبیه سازی ترانزیستور soi-mosfet برای بهبود اثرات کانال کوتاه

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

15 صفحه اول

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه‏ ای برای بهبود اثرات خود گرمائی

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

full text

انسداد میدان الکتریکی جانبی از نواحی درین و سورس جهت بهبود اثرات کانال کوتاه در افزاره Nano-SOI

در این مقاله روشی جدید برای بهبود اثرات کانال کوتاه بدون پیچیدگی در فرآیند ساخت افزاره‌های سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه شده است. فکر اساسی در این مقاله تحقق اکسید U شکل با استفاده از ماده Si3N4 در داخل اکسید مدفون و ناحیه کانال است. مسیر میدان الکتریکی جانبی از سمت درین و سورس پس از برخورد به اکسید تعبیه شده منحرف شده و مقدار کمتری از خطوط میدان الکتریکی توانایی کافی برای عبور از اکسید ...

full text

مدل سازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دو گیتی با گیت دو ماده ای در ابعاد نانو

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

بهبود آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای نانو soi mosfet

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده مهندسی

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023